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SQ1922AEEH-T1_GE3

SQ1922AEEH-T1_GE3
Mfr. #:
SQ1922AEEH-T1_GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET Dual Nch 20V Vds SOT-363
生命週期:
製造商新產品
數據表:
SQ1922AEEH-T1_GE3 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
更多信息:
SQ1922AEEH-T1_GE3 更多信息
產品屬性
屬性值
製造商：
威世
產品分類：
MOSFET
RoHS：
Y
技術：
矽
安裝方式：
貼片/貼片
包裝/案例：
SOT-363-6
通道數：
2 Channel
晶體管極性：
N通道
Vds - 漏源擊穿電壓：
20 V
Id - 連續漏極電流：
0.85 A
Rds On - 漏源電阻：
300 mOhms
Vgs th - 柵源閾值電壓：
1.5 V
Vgs - 柵源電壓：
12 V
Qg - 門電荷：
1.2 nC
最低工作溫度：
- 55 C
最高工作溫度：
+ 175 C
Pd - 功耗：
1.5 W
配置：
雙重的
頻道模式：
增強
商品名：
溝槽場效應晶體管
打包：
捲軸
系列：
質量
晶體管類型：
2 N-Channel
品牌：
威世 / Siliconix
秋季時間：
6 ns
產品類別：
MOSFET
上升時間：
9.6 ns
出廠包裝數量：
3000
子類別：
MOSFET
典型關斷延遲時間：
8 ns
典型的開啟延遲時間：
10 ns
Tags
SQ1922, SQ192, SQ19, SQ1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
SQ Automotive Power MOSFETs
Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified that are produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in a wide variety of packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK SO-8, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-Channel co-packages.
圖片 型號 描述
SQ1922AEEH-T1_GE3

Mfr.#: SQ1922AEEH-T1_GE3

OMO.#: OMO-SQ1922AEEH-T1-GE3

 MOSFET Dual Nch 20V Vds SOT-363
可用性
庫存:
Available
訂購:
1986
輸入數量:
SQ1922AEEH-T1_GE3的當前價格僅供參考，如果您想獲得最優惠的價格，請提交查詢或直接發送電子郵件至我們的銷售團隊[email protected]
參考價格（美元）
數量
單價
小計金額
1
US$0.53
US$0.53
10
US$0.37
US$3.66
100
US$0.25
US$24.70
500
US$0.20
US$99.00
1000
US$0.15
US$149.00
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