STE180NE10

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

ISOTOP-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

180 A

Rds On - 漏源電阻：

6 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

9.1 mm

長度：

38.2 mm

系列：

STE180NE10

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

25.5 mm

品牌：

意法半導體

正向跨導 - 最小值：

30 S

秋季時間：

440 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

600 ns

出廠包裝數量：

10

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

430 ns

典型的開啟延遲時間：

100 ns

單位重量：

1 oz

Tags

STE180N, STE18, STE1, STE