DMN2011UFDE-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

U-DFN2020-E-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

11.7 A

Rds On - 漏源電阻：

15 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

56 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.97 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

DMN2011

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

二極管公司

秋季時間：

13.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

2.6 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

21.6 ns

典型的開啟延遲時間：

3.6 ns

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