NDDL01N60Z-1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

800 mA

Rds On - 漏源電阻：

12.2 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

4.9 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

26 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

700 mS

秋季時間：

18 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5 ns

出廠包裝數量：

75

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

單位重量：

0.011993 oz

Tags

NDDL, NDD