APTM50H15FT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

分立半導體模塊

RoHS：

Y

產品：

功率 MOSFET 模塊

類型：

全橋

Vgs - 柵源電壓：

30 V

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

SP1-12

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 100 C

打包：

管子

配置：

四邊形

品牌：

微芯片/Microsemi

晶體管極性：

N通道

秋季時間：

26 ns

Id - 連續漏極電流：

25 A

Pd - 功耗：

208 W

產品類別：

分立半導體模塊

Rds On - 漏源電阻：

130 mOhms

上升時間：

35 ns

出廠包裝數量：

1

子類別：

分立半導體模塊

典型關斷延遲時間：

80 ns

典型的開啟延遲時間：

29 ns

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

單位重量：

2.821917 oz

Tags

APTM50H1, APTM50H, APTM5, APTM, APT