CSD75208W1015T

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DSBGA-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

1.6 A

Rds On - 漏源電阻：

150 mOhms, 285 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

6 V

Qg - 門電荷：

1.9 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

750 mW (3/4 W)

配置：

雙重的

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

0.625 mm

長度：

1.5 mm

系列：

CSD75208W1015

晶體管類型：

2 P-Channel

寬度：

1 mm

品牌：

德州儀器

秋季時間：

11 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

29 ns

典型的開啟延遲時間：

9 ns

單位重量：

0.000060 oz

Tags

CSD7520, CSD752, CSD75, CSD7, CSD