NVMFD5877NLWFT3G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-5x6-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

17 A

Rds On - 漏源電阻：

31 mOhms, 31 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

20 nC, 20 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

23 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

NVMFD5877NL

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

7 S, 7 S

秋季時間：

2.4 ns, 2.4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

6.4 ns, 6.4 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

14.5 ns, 14.5 ns

典型的開啟延遲時間：

4.9 ns, 4.9 ns

Tags

NVMFD5877, NVMFD587, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM