RV2C001ZPT2L

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN1006-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

100 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.5 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Pd - 功耗：

100 mW

配置：

單身的

打包：

捲軸

高度：

0.4 mm

長度：

1 mm

系列：

RV2C001ZP

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

0.6 mm

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

120 mS

秋季時間：

137 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

62 ns

出廠包裝數量：

8000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

325 ns

典型的開啟延遲時間：

46 ns

第 # 部分別名：

RV2C001ZP

Tags

RV2C001Z, RV2C001, RV2C00, RV2C0, RV2C, RV2