SIA921EDJ-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PowerPAK-SC70-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

4.5 A

Rds On - 漏源電阻：

48 mOhms, 48 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.4 V

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

23 nC, 23 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

7.8 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

TrenchFET、PowerPAK

打包：

捲軸

高度：

0.75 mm

長度：

2.05 mm

系列：

新航

晶體管類型：

2 P-Channel

寬度：

2.05 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

11 S, 11 S

秋季時間：

10 ns, 10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

20 ns, 20 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

25 ns, 25 ns

典型的開啟延遲時間：

20 ns, 20 ns

第 # 部分別名：

SIA921EDJ-GE3

單位重量：

0.000988 oz

Tags

SIA921EDJ-T, SIA921, SIA92, SIA9, SIA