IPB029N06N3GE8187ATMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

120 A

Rds On - 漏源電阻：

2.9 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

53 nC

Pd - 功耗：

188 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

高度：

4.4 mm

長度：

10 mm

系列：

IPB029N06

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

9.25 mm

品牌：

英飛凌科技

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

E8187 G IPB029N06N3 IPB29N6N3GE8187XT SP000939334

單位重量：

0.068654 oz

Tags

IPB029N06N3, IPB029, IPB02, IPB0, IPB