NUS3116MTR2G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

12 V

Id - 連續漏極電流：

4.4 A

Rds On - 漏源電阻：

32 mOhms

Pd - 功耗：

1.7 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半導體

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.001319 oz

Tags

NUS3, NUS