PMDT290UCEH

產品屬性

屬性值

製造商：

Nexperia

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-666-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

800 mA

Rds On - 漏源電阻：

380 mOhms, 850 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

0.5 V, - 1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

0.68 nC, 1.14 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1090 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

Nexperia

正向跨導 - 最小值：

1.6 S, 610 mS

秋季時間：

31 ns, 72 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4 ns, 30 ns

出廠包裝數量：

4000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

86 ns, 80 ns

典型的開啟延遲時間：

6 ns, 18 ns

Tags

PMDT290UCE, PMDT290UC, PMDT2, PMDT, PMD