MRF8S19140HSR3

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Vds - 漏源擊穿電壓：

65 V

獲得：

19.3 dB

輸出功率：

34 W

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

NI-780S

打包：

捲軸

配置：

單身的

工作頻率：

1.93 GHz to 1.99 GHz

系列：

MRF8S19140H

品牌：

恩智浦/飛思卡爾

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.8 V

單位重量：

0.168010 oz

Tags

MRF8S19140HS, MRF8S191, MRF8S19, MRF8S1, MRF8S, MRF8, MRF