RGT8NS65DGC9

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

包裝/案例：

TO-262-3

安裝方式：

通孔

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

650 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.65 V

最大柵極發射極電壓：

30 V

25 C 時的連續集電極電流：

8 A

Pd - 功耗：

65 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 175 C

打包：

管子

品牌：

羅姆半導體

柵極-發射極漏電流：

200 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

50

子類別：

IGBT

第 # 部分別名：

RGT8NS65D(TO-262)

Tags

RGT8N, RGT8, RGT