DMN6075S-13

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

2.5 A

Rds On - 漏源電阻：

120 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

12.3 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.15 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1 mm

長度：

3 mm

產品：

增強型 MOSFET

系列：

DMN60

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

增強型 MOSFET

寬度：

1.4 mm

品牌：

二極管公司

正向跨導 - 最小值：

-

秋季時間：

11 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.1 ns

出廠包裝數量：

10000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

35 ns

典型的開啟延遲時間：

3.5 ns

單位重量：

0.000282 oz

Tags

DMN6075, DMN607, DMN60, DMN6, DMN