PTFA192001F V4 R250

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

900 mA

Vds - 漏源擊穿電壓：

65 V

Rds On - 漏源電阻：

50 mOhms

獲得：

17 dB

輸出功率：

100 W

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

H-37248-2

打包：

捲軸

配置：

單身的

高度：

4.11 mm

長度：

22.35 mm

工作頻率：

1.93 GHz to 1.99 GHz

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

13.72 mm

品牌：

英飛凌科技

頻道模式：

增強

Pd - 功耗：

417 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

12 V

第 # 部分別名：

FA192001FV4R25XT SP000393369

Tags

PTFA1920, PTFA192, PTFA19, PTFA1, PTFA, PTF