CSD87588NT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PTAB-5

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

25 A

Rds On - 漏源電阻：

10.4 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.9 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

3.2 nC, 13.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6 W

配置：

雙重的

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

0.48 mm

長度：

5 mm

系列：

CSD87588N

晶體管類型：

2 N-Channel

類型：

同步降壓 NexFET 功率級

寬度：

2.5 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

43 S, 93 S

秋季時間：

5 ns, 6.3 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

31.6 ns, 36.7 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

10.2 ns, 20.1 ns

典型的開啟延遲時間：

7.3 ns, 12.1 ns

Tags

CSD8758, CSD875, CSD87, CSD8, CSD