SISH129DN-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PowerPAK-1212-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

35 A

Rds On - 漏源電阻：

11.4 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.8 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

71 nC

最低工作溫度：

- 50 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

52.1 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

TrenchFET、PowerPAK

打包：

捲軸

系列：

情報局

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

37 S

秋季時間：

14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

43 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

30 ns

典型的開啟延遲時間：

50 ns

Tags

SISH1, SISH, SIS