NVMFD5C650NLWFT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

111 A

Rds On - 漏源電阻：

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

37 nC, 37 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

NVMFD5C650NL

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

120 S, 120 S

秋季時間：

13 ns, 13 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

24 ns, 24 ns

出廠包裝數量：

1500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

37 ns, 37 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns, 13 ns

Tags

NVMFD5C6, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM