NVATS68301PZT4G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

ATPAK-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

31 A

Rds On - 漏源電阻：

57 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.5 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

55 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

84 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

NVATS68301PZ

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

170 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

150 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

250 ns

典型的開啟延遲時間：

26 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

NVAT, NVA