IXFN20N120P

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

底盤安裝

包裝/案例：

SOT-227-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1.2 kV

Id - 連續漏極電流：

20 A

Rds On - 漏源電阻：

570 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

6.5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

193 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

595 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

高功率場效應晶體管

打包：

管子

高度：

12.22 mm

長度：

38.23 mm

系列：

IXFN20N120

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

極性功率 MOSFET HiPerFET

寬度：

25.42 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

10 S

秋季時間：

70 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

45 ns

出廠包裝數量：

10

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

72 ns

典型的開啟延遲時間：

49 ns

單位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN20, IXFN2, IXFN, IXF