MW6S010GNR1

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

E

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Vds - 漏源擊穿電壓：

68 V

獲得：

18 dB

輸出功率：

10 W

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-270-2

打包：

捲軸

配置：

單身的

高度：

2.08 mm

長度：

9.7 mm

工作頻率：

1.5 GHz

系列：

MW6S010N

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

5.97 mm

品牌：

恩智浦/飛思卡爾

頻道模式：

增強

濕氣敏感：

是的

Pd - 功耗：

61.4 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

500

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.3 V

第 # 部分別名：

935324159528

單位重量：

0.019330 oz

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