NDS355N

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SSOT-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

1.6 A

Rds On - 漏源電阻：

125 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.12 mm

長度：

2.9 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

NDS355N

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.4 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

秋季時間：

14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

14 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

12 ns

典型的開啟延遲時間：

15 ns

第 # 部分別名：

NDS355N_NL

單位重量：

0.001058 oz

Tags

NDS355N, NDS355, NDS35, NDS3, NDS