FQI9N50CTU

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

500 V

Id - 連續漏極電流：

9 A

Rds On - 漏源電阻：

800 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

135 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

4.83 mm

長度：

10.67 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

9.65 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

6.5 S

秋季時間：

64 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

65 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

93 ns

典型的開啟延遲時間：

18 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

FQI9N5, FQI9N, FQI9, FQI