Jan2N6990/TR

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

N

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-86-14

晶體管極性：

NPN

配置：

四邊形

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

50 V

集電極-基極電壓 VCBO：

75 V

發射極基極電壓 VEBO：

6 V

集電極-發射極飽和電壓：

1 V

最大直流集電極電流：

800 mA

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 200 C

直流電流增益 hFE 最大值：

325 at 1 mA, 10 V

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

50 at 1 mA, 10 V

Pd - 功耗：

1 W

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

1

子類別：

晶體管

Tags

Jan2N69, Jan2N6, Jan2N, Jan2, JAN