IPD650P06NMATMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

- 60 V

Id - 連續漏極電流：

- 22 A

Rds On - 漏源電阻：

65 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

- 4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

- 39 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

83 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

IPD06P003

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

21 S

秋季時間：

12 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

14 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

33 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns

第 # 部分別名：

IPD650P06NM SP004987256

Tags

IPD65, IPD6, IPD