SI2312BDS-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

3.9 A

Rds On - 漏源電阻：

31 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

450 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

7.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.75 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

溝槽場效應晶體管

打包：

捲軸

高度：

1.45 mm

長度：

2.9 mm

系列：

SI2

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.6 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

30 S

秋季時間：

10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

30 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

35 ns

典型的開啟延遲時間：

9 ns

第 # 部分別名：

SI2312BDS-GE3

單位重量：

0.000282 oz

Tags

SI2312BDS-T, SI2312BDS, SI2312B, SI2312, SI231, SI23, SI2