SI1926DL-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

370 mA

Rds On - 漏源電阻：

1.4 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

1.4 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

510 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

溝槽場效應晶體管

打包：

捲軸

高度：

1 mm

長度：

2.1 mm

系列：

SI1

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

1.25 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

159 ms

秋季時間：

14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

12 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns

典型的開啟延遲時間：

6.5 ns

單位重量：

0.000265 oz

Tags

SI1926, SI192, SI19, SI1