2N5064G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

可控矽

RoHS：

Y

系列：

2N506X

突破電流 IBO 最大值：

10 A

額定重複關斷電壓 VDRM：

200 V

VDRM IDRM 的斷態洩漏電流：

10 uA

Vf - 正向電壓：

1.7 V

最大柵極峰值反向電壓：

5 V

柵極觸發電壓 - Vgt：

800 mV

柵極觸發電流 - Igt：

0.2 mA

保持電流 Ih Max：

5 mA

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 110 C

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-92-3 (TO-226)

目前評級：

510 mA

高度：

5.33 mm

長度：

5.2 mm

類型：

可控矽

寬度：

4.19 mm

品牌：

安森美半導體

非重複導通電流：

10 A

產品類別：

可控矽

出廠包裝數量：

5000

子類別：

晶閘管

單位重量：

0.007055 oz

Tags

2N5064, 2N506, 2N50, 2N5