NTLGD3502NT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

4.3 A

Rds On - 漏源電阻：

60 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.74 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.87 mm

長度：

3 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

3 mm

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

17.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

17.5 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

8.6 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns

單位重量：

0.000744 oz

Tags

NTLGD35, NTLGD, NTLG, NTL