NSV40302PDR2G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

晶體管極性：

NPN, PNP

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

40 V

集電極-基極電壓 VCBO：

40 V

發射極基極電壓 VEBO：

6 V, - 7 V

集電極-發射極飽和電壓：

- 0.17 V

增益帶寬積 fT：

100 MHz

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

NSS40302P

直流電流增益 hFE 最大值：

230

打包：

捲軸

品牌：

安森美半導體

連續集電極電流：

3 A

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

150

Pd - 功耗：

653 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

資質：

AEC-Q101

出廠包裝數量：

2500

子類別：

晶體管

單位重量：

0.002540 oz

Tags

NSV403, NSV40, NSV4, NSV