NVD5865NLT4G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

46 A

Rds On - 漏源電阻：

16 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

29 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

71 W

配置：

單身的

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

NVD5865NL

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

15 S

秋季時間：

4.4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

12.4 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

26 ns

典型的開啟延遲時間：

8.4 ns

第 # 部分別名：

SVD5865NLT4G

單位重量：

0.139332 oz

Tags

NVD586, NVD58, NVD5, NVD