SSM3K35AMFV,L3F

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

VESM-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

250 mA

Rds On - 漏源電阻：

750 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

350 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

340 pC

最低工作溫度：

-

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

東芝

正向跨導 - 最小值：

0.5 S

秋季時間：

5.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

2 ns

出廠包裝數量：

8000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

6.5 ns

典型的開啟延遲時間：

2 ns

Tags

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