RFD12N06RLE

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

17 A

Rds On - 漏源電阻：

75 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

16 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

49 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

6.3 mm

長度：

6.8 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

2.5 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

秋季時間：

37 ns, 50 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

89 ns, 34 ns

出廠包裝數量：

1800

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

22 ns, 41 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns, 5.3 ns

第 # 部分別名：

RFD12N06RLE_NL

單位重量：

0.139332 oz

Tags

RFD12N06RLE, RFD12N06R, RFD12, RFD1, RFD