GA35XCP12-247

產品屬性

屬性值

製造商：

GeneSiC半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

碳化矽

包裝/案例：

TO-247AB

安裝方式：

通孔

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1200 V

集電極-發射極飽和電壓：

3 V

最大柵極發射極電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

GA35XCP12

打包：

管子

工作溫度範圍：

- 40 C to + 150 C

品牌：

GeneSiC半導體

柵極-發射極漏電流：

0.3 mA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

30

子類別：

IGBT

Tags

GA35, GA3