ALD111933SAL

產品屬性

屬性值

製造商：

先進線性器件

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

10 V

Id - 連續漏極電流：

6.9 mA

Rds On - 漏源電阻：

500 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.25 V

Vgs - 柵源電壓：

10.6 V

最低工作溫度：

0 C

最高工作溫度：

+ 70 C

Pd - 功耗：

500 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

管子

產品：

MOSFET 小信號

系列：

ALD111933S

晶體管類型：

2 N-Channel

類型：

MOSFET

品牌：

先進線性器件

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

10 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

單位重量：

0.002998 oz

Tags

ALD11193, ALD1119, ALD111, ALD11, ALD1, ALD