VNW100N04

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

N

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

42 V

Id - 連續漏極電流：

50 A

Rds On - 漏源電阻：

12 mOhms

Pd - 功耗：

208 W

打包：

管子

系列：

VNW100N04

類型：

功率MOSFET

品牌：

意法半導體

正向跨導 - 最小值：

60 S

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

單位重量：

1.340411 oz

Tags

VNW1, VNW