TN0106N3-G

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-92-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

350 mA

Rds On - 漏源電阻：

3 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

600 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

大部分

高度：

5.33 mm

長度：

5.21 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

場效應管

寬度：

4.19 mm

品牌：

微芯科技

正向跨導 - 最小值：

225 mS

秋季時間：

3 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

3 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

6 ns

典型的開啟延遲時間：

2 ns

單位重量：

0.016000 oz

Tags

TN0106N3-G, TN0106N, TN0106, TN010, TN01, TN0