FGA50N100BNTD2

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

包裝/案例：

TO-3PN

安裝方式：

通孔

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1000 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.5 V

最大柵極發射極電壓：

25 V

25 C 時的連續集電極電流：

50 A

Pd - 功耗：

156 W

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

FGA50N100BNTD2

打包：

管子

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

柵極-發射極漏電流：

500 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

450

子類別：

IGBT

單位重量：

0.225789 oz

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FGA50N100BNTD, FGA50N100B, FGA50N10, FGA50N1, FGA50N, FGA5, FGA