BSZ15DC02KD H

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSDSON-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

5.1 A, 3.2 A

Rds On - 漏源電阻：

41 mOhms, 97 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV, 1.4 V

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

2.8 nC, - 4.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

3.3 mm

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

寬度：

3.3 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

5.5 S, 3.4 S

秋季時間：

1.4 ns, 4.7 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

2 ns, 3.7 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

12.2 ns, 11.3 ns

典型的開啟延遲時間：

4.9 ns, 7.4 ns

第 # 部分別名：

BSZ15DC02KDHXTMA1 SP000961028

Tags

BSZ15DC02KDH, BSZ15D, BSZ15, BSZ1, BSZ