IPD70N12S311ATMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

120 V

Id - 連續漏極電流：

70 A

Rds On - 漏源電阻：

9.2 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

65 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

系列：

N通道

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

8 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

25 ns

典型的開啟延遲時間：

17 ns

第 # 部分別名：

IPD70N12S3-11 SP001400108

單位重量：

0.011993 oz

Tags

IPD70N12, IPD70N1, IPD70N, IPD70, IPD7, IPD