TPN4R712MD,L1Q

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSON Advance-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

36 A

Rds On - 漏源電阻：

4.7 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

500 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

65 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

42 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.85 mm

長度：

3.1 mm

系列：

TPN4R712MD

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

3.1 mm

品牌：

東芝

秋季時間：

145 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

11 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

443 ns

典型的開啟延遲時間：

18 ns

單位重量：

0.000705 oz

Tags

TPN4R712M, TPN4R7, TPN4, TPN