IPG20N06S2L-35

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TDSON-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

55 V

Id - 連續漏極電流：

20 A

Rds On - 漏源電阻：

35 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

65 W

配置：

雙重的

資質：

AEC-Q101

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.27 mm

長度：

5.9 mm

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

5.15 mm

品牌：

英飛凌科技

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

IPG20N06S2L35ATMA1 IPG2N6S2L35XT SP000613718

Tags

IPG20N06S2, IPG20N06, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG