IXFZ520N075T2

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DE-475-6

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

75 V

Id - 連續漏極電流：

465 A

Rds On - 漏源電阻：

1.3 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

545 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

600 W

頻道模式：

增強

商品名：

高功率場效應晶體管

打包：

管子

高度：

3.18 mm

長度：

23.11 mm

系列：

IXFZ520N075

類型：

TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

寬度：

21.08 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

95 S

秋季時間：

35 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

36 ns

出廠包裝數量：

20

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

80 ns

典型的開啟延遲時間：

48 ns

Tags

IXFZ, IXF