NTMSD3P102R2

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

N

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

2.3 A

Rds On - 漏源電阻：

85 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.5 mm

長度：

5 mm

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

4 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

5 S

秋季時間：

35 ns, 45 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

42 ns, 16 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

32 ns, 45 ns

典型的開啟延遲時間：

16 ns, 12 ns

單位重量：

0.006596 oz

Tags

NTMSD3P102R, NTMSD3P1, NTMSD3, NTMSD, NTMS, NTM