2N5115e3

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

場效應管

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-18-3

晶體管極性：

P-通道

配置：

單身的

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

30 V

Vgs=0 時的漏源電流：

- 15 mA to - 60 mA

Rds On - 漏源電阻：

100 Ohms

Pd - 功耗：

500 mW

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 200 C

打包：

大部分

品牌：

微芯片/Microsemi

柵源截止電壓：

3 V to 6 V

最大漏柵電壓：

30 V

產品類別：

JFET

出廠包裝數量：

1

子類別：

晶體管

Tags

2N5115, 2N511, 2N51, 2N5