STB80NF55-06-1

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-262-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

55 V

Id - 連續漏極電流：

80 A

Rds On - 漏源電阻：

6.5 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

商品名：

STripFET

打包：

管子

高度：

8.95 mm

長度：

10 mm

系列：

STB80NF55-06-1

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.4 mm

品牌：

意法半導體

秋季時間：

65 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

155 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

125 ns

典型的開啟延遲時間：

27 ns

單位重量：

0.050717 oz

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