FCH190N65F-F085

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

20.6 A

Rds On - 漏源電阻：

401 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

63 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

208 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

商品名：

超級場效應晶體管 II

打包：

管子

高度：

20.82 mm

長度：

15.87 mm

系列：

FCH190N65F_F085

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.82 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

秋季時間：

5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

14.5 ns

出廠包裝數量：

450

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

64 ns

典型的開啟延遲時間：

25 ns

第 # 部分別名：

FCH190N65F_F085

單位重量：

0.225401 oz

Tags

FCH190N65F-F, FCH190, FCH19, FCH1, FCH