DMG6602SVT-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSOT-26-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

3.4 A, 2.8 A

Rds On - 漏源電阻：

100 mOhms, 140 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

9 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

840 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

DMG6602

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

二極管公司

正向跨導 - 最小值：

4 S

秋季時間：

3 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns

典型的開啟延遲時間：

3 ns

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