NTGD3148NT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSOP-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

3.5 A

Rds On - 漏源電阻：

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

500 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

3.8 nC, 3.8 nC

最低工作溫度：

- 50 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.1 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.94 mm

長度：

3 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

2 N-Channel

類型：

功率溝槽 MOSFET

寬度：

1.5 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

6.2 S, 6.2 S

秋季時間：

1.6 ns, 1.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

11.2 ns, 11.2 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

12.8 ns, 12.8 ns

典型的開啟延遲時間：

7.4 ns, 7.4 ns

單位重量：

0.000705 oz

Tags

NTGD314, NTGD3, NTGD, NTG